Thin Film Circuit Technology
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Dünnschicht-Schaltungstechnologie

Unter Dünnschicht-Schaltkreistechnologie versteht man die Bildung elektronischer Komponenten mittels Fotolithographie, nachdem das Substrat im Vakuum zu einem dünnen Film abgeschieden wurde.

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Beschreibung

Technische Parameter

Unter Dünnschicht-Schaltkreistechnologie versteht man die Bildung elektronischer Komponenten mittels Fotolithographie, nachdem das Substrat im Vakuum zu einem dünnen Film abgeschieden wurde. Diese Technologie hat sich aufgrund ihres breiten Spektrums an Komponentenparametern, der hohen Genauigkeit, der guten Chargenkonsistenz, der hohen Zuverlässigkeit und der guten Temperatur--Frequenzeigenschaften zum bevorzugten Ansatz für die Herstellung von Mikrostreifenschaltungen entwickelt. Es wird hauptsächlich in der medizinischen Elektronik, Hochgeschwindigkeitscomputern, Waffen und Ausrüstung, Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen eingesetzt.

Die Zukunft von Dünnschicht-Schaltungsprodukten liegt in Richtung kleinerer Liniengrößenstrukturen, höherer Grafikqualität und -genauigkeit, verbesserter Zuverlässigkeit, reduziertem Volumen und höheren Anwendungsfrequenzbändern.

Stanzen → Sputtern → Filmschichtverdickung → Fotoätzen → Kratzen → Testen

1, Testgegenstände: Aussehen
Testwerkzeuge: Stereomikroskop
Testmethoden: GJB548B Methode 2032
Technischer Index: 80 % der grafischen Teile sind vollständig und es gibt keine sichtbaren Metallrückstände in nicht-grafischen Bereichen

2, Testgegenstände: Gesamtabmessung
Testwerkzeuge: Messschieber, elektronisches Mikrometer, Bildmessgerät
Testmethoden: GJB548B, Methode 2016
Technischer Index:

Verarbeitung	Normal	Hohe Präzision
Methoden	Präzisionsfehler	Fehler
Schleifstein	Kleiner oder gleich ± 50 µm	Kleiner oder gleich ± 25 µm
Laser	Kleiner oder gleich ± 100 µm	Kleiner oder gleich ± 50 µm

3, Testgegenstände: Lithografische Metallgrafiken
Testwerkzeuge: Bildmessgerät, metallografisches Mikroskop
Testmethoden: GJB548B, Methode 2016
Technischer Index:

Artikel	Fehler
Gravur auf Vorder- und Rückseite	Kleiner oder gleich ±25 µm
Gleiche Seitengravur	Kleiner oder gleich ±25 µm
Liniengröße	±5 µm

4, Testgegenstände: Membranhaftung
Testwerkzeuge: 3M610 Klebeband
Testmethoden: ASTM B571-97 Bandtestmethode
Technischer Index: Unter einem 40-fachen Mikroskop ist an der Membranschicht keinerlei Abschälphänomen zu beobachten

5, Testgegenstände: Hohe Temperaturbeständigkeit der Membranschicht
Testwerkzeuge: Heiße Bühne
Testmethoden: 10 Minuten bei 400 Grad halten
Technischer Index: Unter einem 40-fachen Mikroskop kommt es zu keiner Verfärbung, Ablösung, Blasenbildung oder Ablösung der Membranschicht in irgendeiner Form

6, Andere technische Indizes

Artikel	Technischer Index
Mindestdurchmesser der Metallisierung Durchgangsloch	Substratdicke×0,8
Der Mindestabstand vom Führungsband zum Rand der Keramik	0,050 mm
Lithografische Mindestlinienbreite	0,015 mm
Widerstand	±10%